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          雪崩能量测试仪

          更新时间:2019-01-11

          简要描述:

          雪崩能量测试仪系统主要用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A,电压 4500V,雪崩能量可达2000J。

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          半导体分立器件作为在电力电子行业中应用为广泛的基础元件,其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能够承受电路中的电流,满足一定的雪崩耐量。

          雪崩能量测试仪测试的电压和电流波形同时被采集到示波器,并由示波器与工控机直接通讯,将采集数据传输给计算机,计算机将测试数据以EXCEL表格形式显示并进行终的编辑和打印。

           

          HUSTEC2020 雪崩能量测试仪

          功能指标:

          配置

          测试范围

          测试参数

          条件

          范围

          电压
          1000V 

          IGBTs
          绝缘栅双极型晶体管 

          EAS/单脉冲雪崩能量

          VCE

          20V~4500V

          20~100V±3%±1V
          100~1000V±3%±5V 
          1000V~4500V±3%±10V

          电流
          200A

          MOSFETs
          MOS场效应管

          EAR/重复脉冲雪崩能量 

          Ic

          1mA~200A

          1mA~100mA±3%±0.1mA
          100mA~2A±3%±5mA 
          2A~200A±3%±50mA

           

          DIODEs
          二极管

          IAS/单脉冲雪崩电流

          Ea

          1J~2000J

          1J~100J±3%±1J
          100J~500J±3%±5J 
          500J~2000J±3%±10J

             

          PAS/单脉冲雪崩功率

          IC检测

          50mV/A(取决于传感器)

               

          感性负载

          10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 

               

          重复间隙时间 

          1~60s可调(步进1s) 重复次数:1~50次

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